Apple 最新旗艦機款 iPhone 18 系列發售後，高容量版本的晶片用料再度成為科技圈討論焦點。根據外媒報導及知名測試頻道 Homolab 的最新測評顯示，Apple 在 iPhone 18 Pro Max 的 1TB 以及 2TB 高容量版本中，改用了儲存密度更高的 QLC NAND 快閃記憶體，取代沿用於以往 iPhone ，以及 256GB 和 512GB 版本採用的 TLC NAND。雖然 QLC 成功提升了容量上限，但測試發現在持續極限寫入下，其速度竟會暴跌至僅 1.1 MB/s，甚至比傳統機械硬碟（HDD）還要慢。
快取耗盡即露原形：緩衝爆滿後速度插水
為了彌補 QLC 本身寫入較慢的先天劣勢，Apple 在系統中設計了多層快取機制。在空機狀態下，iPhone 18 Pro Max 1TB 的動態 SLC Cache 能提供超過 3,000 MB/s 的極速寫入。當這層容量約 250GB 的 SLC 快取用盡後，會轉由約 578 MB/s 的二級緩衝（pseudo-TLC 模式）接手。
然而，當這兩層緩衝快取完全耗盡，系統不得不將數據直接寫入底層的 QLC 記憶體時，平均寫入速度會大幅降至約 79.4 MB/s，最低甚至會跌至 25.6 MB/s，類似平價 microSD 卡的水平。
更嚴重的問題出現在手機儲存空間逐漸被佔用之後。Homolab 在測試中將手機容量使用至 60% 後再次進行壓力測試，發現可用 SLC 快取空間大幅縮減至 58GB。在快取再次被耗盡的情況下，直寫 QLC 的平均速度掉到僅剩 45 MB/s，更在持續寫入的極限情境中，出現瞬間跌至 1.1 MB/s 的極慢速度，如同機械硬碟的表現。
這張圖表來自評測頻道 HOMO LAB，測試對象為 iPhone 18 Pro Max 1TB（採用 KIOXIA BiCS8Q 2Tb Die QLC 顆粒） 的儲存晶片 4K 隨機讀寫與混合負載效能。
- 「讀快寫慢」特徵明顯：讀取效能（單純讀取或 9R1W 比例）表現出色，符合手機絕大多數時間「讀取為主」的使用情境（開啟 App、讀取相片與遊戲）。
- QLC 寫入與併發負載限制：一旦寫入比例上升或遇到高佇列併發（如 5R5W 或 Q4T4 狀況），寫入 IOPS 成長幅度受限，且延遲大幅增加。這反映了 QLC 顆粒在無 SLC 快取保護或面對持續高強度寫入時的性能瓶頸。
作為對比，採用 TLC NAND 的 512GB 版本 iPhone 18 Pro 在低佇列深度（Q1T1）的混合讀寫測試中，表現比 1TB 的 QLC 版本高出約 38%。
日常使用影響不大 極限專業用戶需留神
不過，一眾 iPhone 用戶亦毋須過份恐慌。報導指出，本次測試屬於極端壓力模擬（Synthetic Benchmark），極端低速只會在長時間進行超大量連續寫入（如還原數百 GB 備份、長時間錄製極高碼率的 4K/8K ProRes 影片）且快取完全用盡時才會出現。
對於日常打機、影相、睇片或社交應用等爆發式短時間寫入，高達 3,000 MB/s 的快取的確足夠涵蓋使用需求。然而，對於經常需要處理龐大檔轉移的真正專業創作者而言，在選購 1TB 或以上大容量版本時，可能需要將 QLC NAND 的寫入瓶頸納入考慮。
