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    【 ISSCC 2021 】 Western Digital 攜手 Kioxia 推出 BiSC6

    Yeung Chun Fat
    曾經在香港各間主要電腦雜誌工作,隨後轉行到電腦公司任職產品經理,最近重回媒體工作。個人出版的作品包括替香港工業總會轄下香港電子業總會(HKEIC)撰寫《香港電子業穩步向前- 回顧與前瞻》紀念書刊。

    在 ISSCC 2021 中, Western Digital Corporation 宣布與鎧俠(Kioxia)聯手研發出第六代 162 層 3D NAND Flash 。新產品降低了單位成本,並使每個晶圓可製作多 70% 容量的 NAND Flash 。

    第六代 3D NAND Flash 橫向單元陣列密度較第五代 3D NAND Flash 提高了約 10% 。與第五代的 112 層堆疊架構相比,第六代產品進一步提升至 162 層堆疊架構,能夠使晶圓尺寸減小約 40% ,從而降低了成本。第六代 3D NAND Flash 同時亦採用了陣列 CMOS 電路佈局及四路同時工作等新技術,處理性能可望提高近 2.4 倍,讀取延遲減少約 10% , I/O 性能也提高了約 66% ,十分可觀。雖然廠商已陸續採用第六代 3D NAND Flash 產品,不過市場上的 NVMe SSD 主要仍是使用第四代 3D NAND Flash 。

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