NANDFlash
SK hynix 完成 176 層 TLC NAND Flash 設計
SK hynix 宣佈已完成 176 層 512 Gigabit TLC 4D NAND Flash 產品設計，再次刷新 NAND Flash 密度紀錄。相比之下，目前主流的 TLC NAND Flash 主要為 96 層設計，可以說 176 層 TLC NAND Flash 可以提供相當於一倍的儲存密度。據 SK hynix 表示，該產品最大的特色是採用自 2018 年以來推出的 4D NAND Flash 技術，特點是結合 Charge Trap Flash...
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