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    SK hynix 完成 176 層 TLC NAND Flash 設計

    Yeung Chun Fat
    曾經在香港各間主要電腦雜誌工作,隨後轉行到電腦公司任職產品經理,最近重回媒體工作。個人出版的作品包括替香港工業總會轄下香港電子業總會(HKEIC)撰寫《香港電子業穩步向前- 回顧與前瞻》紀念書刊。

    SK hynix 宣佈已完成 176 層 512 Gigabit TLC 4D NAND Flash 產品設計,再次刷新 NAND Flash 密度紀錄。相比之下,目前主流的 TLC NAND Flash 主要為 96 層設計,可以說 176 層 TLC NAND Flash 可以提供相當於一倍的儲存密度。據 SK hynix 表示,該產品最大的特色是採用自 2018 年以來推出的 4D NAND Flash 技術,特點是結合 Charge Trap Flash (CTF) 及可提升集成度的 Peri. Under Cell (PUC) 技術,因此能夠提供比競爭對手多 35% 的每 bit 儲存密度,並採用 2-division cell array selection technology 較上一代產品多 20% 的讀寫效能,而傳輸速度也可增加 33% 至 1.6Gbps 。 SK hynix 預計在明年年中先在 Mobile 市場推出相關產品,隨後會考慮到消費及企業市場推出相關產品。

    新產品採用目前開始盛行的 Charge Trap Flash (CTF) 設計,可實現比傳統 NAND Flash Floating Gate 設計高的讀寫效能。
    新產品採用目前開始盛行的 Charge Trap Flash (CTF) 設計,可實現比傳統 NAND Flash Floating Gate 設計高的讀寫效能。

    Peri. Under Cell (PUC) 把 peripheral circuits 置於 cell array 之下,可提升工作效率。
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