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    不談 7nm   Intel 公布 7/4/3/20A 製程

    Yeung Chun Fat
    曾經在香港各間主要電腦雜誌工作,隨後轉行到電腦公司任職產品經理,最近重回媒體工作。個人出版的作品包括替香港工業總會轄下香港電子業總會(HKEIC)撰寫《香港電子業穩步向前- 回顧與前瞻》紀念書刊。

    在 7 月 26 日的 Intel Accelerated Webcast 活動中, Intel 如期發佈最新製程及封裝技術的進度。面對長期在 7nm 程製上落後台積電及三星的困境, Intel 決定不再以製程「節點」為新製程命名,改為仿效 CPU 的做法,以 Model Number 取代實際時脈的做法,即以 Intel 7 標示下一代 10nm 加強版製程、 Intel 4 標示首款 7nm 製程產品。

    英特爾各節點創新技術
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    從 Intel 7 至 18A 技術演進及相關 CPU
    從 Intel 7 至 18A 技術演進及相關 CPU

    Intel 7 = 10nm

    Intel 7 予人的感覺是 Intel 7nm 製程,但 Intel 認為其 10nm SuperFin 下一代技術較台積電的 7nm 製程等毫不遜色,仍採用 Intel 7 而非 Intel 10 為第 4 代 10nm 製程命名。據 Intel 方面表示, Intel 7 較現時 10nm SuperFin 每瓦效能可提升大約 10%~15% ,將在 2021 年用於 Alder Lake (12 代 Core)、 2022 年用於 Sapphire Rapids (Xeon) 處理器。

    7nm 正命為 Intel 4

    至於 7nm 真命天子將名為 Intel 4 ,同時也是 Intel 首次採用 EUV 技術製作的 CPU ,預計在 2022 年下半年開始試產,並於 2023 年出貨相關產品。首款 CPU 將為 Meteor Lake 及 Granite Rapids ,其中 Meteor Lake 將採用 Intel Foveros 先進封裝技術,在一塊基板上集成 Compute Die 、 SOC-LP 及 GPU Die。另外,已知 Intel 7nm 會有改良版本 Intel 3 ,將增加 EUV 的使用比例以進一步提升效能。(編按︰半導體一般有 10 多層金屬堆疊,目前沒有硬性要求全部金屬堆疊均以 EUV 製程,以台積電 7nm 為例,用上 EUV 的層數會較少,而 5nm 用上 EUV 的比例會較高。)

    Meteor Lake 將採用 Intel 4 + Foveros 先進封裝技術,在一塊基板上集成 Compute Die 、 SOC-LP 及 GPU Die。
    Meteor Lake 將採用 Intel 4 + Foveros 先進封裝技術,在一塊基板上集成 Compute Die 、 SOC-LP 及 GPU Die。
    除了製程的 Roadmap 外,也有先進封裝技術的發展。
    除了製程的 Roadmap 外,也有先進封裝技術的發展。

    2024 年才是關鍵年

    在 Intel 的規劃中, 2024 年將是製程技術出現突破性發展的一年,會以 RibbonFET 和 PowerVia 這 2 個突破性技術開創埃米( angstrom )時代,其中 RibbonFET 為環繞式閘極( GAA, Gate All Around )實作成果。但筆者認為 Intel 面對的技術競爭依然是嚴峻的,因為三星表示會於 2022 年 3nm 採用 GAA 技術,台積電預計在 2nm 製程時採用, Intel 難言樂觀。

    與此同時, Intel CEO Pat Gelsinger 重申摩爾定律不死,表示「對於下一個創新十年,規劃清晰的道路走向 1nm 及其未來」。

    2024 年推出的 Intel 20A 會以 RibbonFET 和 PowerVia 這 2 個突破性技術開創埃米(angstrom)時代
    完場預告在今年 10 月 27 至 28 日會有創新日
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