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    Samsung PCIe 4.0 NVMe SSD 讀寫性能翻倍!

    Yeung Chun Fat
    Yeung Chun Fat
    曾經在香港各間主要電腦雜誌工作,隨後轉行到電腦公司任職產品經理,最近重回媒體工作。個人出版的作品包括替香港工業總會轄下香港電子業總會(HKEIC)撰寫《香港電子業穩步向前- 回顧與前瞻》紀念書刊。

    在中國閃存市場峰會 CMFS2019 中, Samsung 宣佈正式量產第 6 代 V-NAND ,並於同場展出世界首款獲 AMD 及 ODCC 認證的 PCIe 4.0 NVMe SSD ,將提供高達 128K 的讀寫性能,是現有 PCIe 3.0 產品的 2 倍。

    高達 136 層的 V-NAND

    Samsung 的 V-NAND 3D Flash 自 2013 年推出以來,至今發展至第 6 代,在 Samsung 的產品規劃更至第 10 代的產品。第 6 代 V-NAND 將提供高達 136 層架構,大大提高容量,而且速度方面達到 1200Mbps ,也比上一代產品的 500~800Mbp 為高。在場 Samsung 表示,隨著智慧城市及 5G 技術的發展,將對於存儲產品提出更高的性能要求,像 AR/VR 、 IoT 及 4K 應用往往需要 1GB/s 以上的性能,這是新產品的用武之地。

    第 6 代 V-NAND 擁有 1200Mbps 讀取速度
    第 6 代 V-NAND 擁有 1200Mbps 讀取速度

    同場展出 PMI733 PCIe 4.0 NVMe

    同場 Samsung 還展出 PMI733 PCIe 4.0 NVMe SSD 產品,以企業存儲為主。該款產品也是世界首款獲 AMD 及 ODCC 認證的 PCIe 4.0 NVMe SSD ,存儲性能極高,在 Seq. Read 及 Seq. Write 最高均達到 128K 以上,是 PMI723b PCIe 3.0 NVMe SSD 的 2 倍以上。新產品主要配合 AMD 新出的 EPYC 7002 7nm Server/Workstation 為主,針對的應用包括 8KB Video Editing 、 AI 、 Deep Learning 及 100/400GbE 網絡等等。

    Samsung PCIe 4.0 NVMe SSD 最高讀寫速度可達到 128K 以上
    Samsung PCIe 4.0 NVMe SSD 最高讀寫速度可達到 128K 以上
    PMI733 HHHL 樣品。採用卡的形式,讀寫速度分別為 8000MB/s 及 3800MB/s。
    PMI733 HHHL 樣品。採用卡的形式,讀寫速度分別為 8000MB/s 及 3800MB/s。
    PMI733 2.5” 樣品。採用 U.2 Form Factor,讀寫速度分別為 6400MB/s 及 3800MB/s。
    PMI733 2.5” 樣品。採用 U.2 Form Factor ,讀寫速度分別為 6400MB/s 及 3800MB/s 。

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