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三星電子宣布以 12nm 製程技術，開發出業界首款最高容量的 32Gb DDR5 DRAM 顆粒，在同樣封裝尺寸下，容量是上一代的 16Gb 顆粒的兩倍。這令生產 128GB DRAM 模塊時不需要使用矽穿孔技術，同時令功耗降低 10％。新產品還能為達到最高 1TB 容量的 DRAM 模塊鋪路。

韓國三星電子宣布開始量產 3nm 製程的晶片，搶先台灣 TSMC 。第一代 3nm 製程的晶片主要應用在高效能低耗電的運算應用上，稍後才擴展至手機晶片。

IBM 日前公布與 Samsung Electronic 合作，發表突破性晶片設計技術「垂直傳輸納米片場效能晶體管（ VTFET ）」，宣稱可以令摩爾定律維持數年。

三星電子剛公布與哈佛大學合作研究，將人類大腦複製並粘貼到神經形態晶片上，目標是研究出利用納米電極陣列來讀取神經細胞的構造，然後複製到晶片上的技術。這項個研究構想的論文已經於 9 月 23 日刊載在科學雜誌《 Nature Electronics 》上。

Samsung Electronics 發表了兩款手機感光元件，當中「 ISOCELL HP1 」像素達到 2 億，是現時手機感光元件中最大的。而「 ISOCELL GN5 」則是薄型 1.0µm 500 萬像素感光元件，並首次採用全方位 Dual Pixel Pro 自動對焦技術。

三星電子宣布成功開發業界首款整合人工智慧（AI）運算效能的高頻寬記憶體（HBM）—— HBM-PIM。

三星電子不單在智能電話佔一席位，隨著車聯網的趨勢已成形，讓公司計畫將供應鏈伸延擴大，擲 80 億美元收購美國汽車零件製造商 Harman。